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- Cache
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Interface
- USB 2.0 (3)
- USB 3.0 - Tipo C (2)
- USB 3.1 (7)
- USB 3.0 (26)
- PCIe (13)
- Sata 6GB/S (82)
- USB 3.2 Gen 1 - Tipo C (8)
- USB 3.2 Gen 2 (2)
- USB 3.2 Gen 1 (30)
- Sata 3GB/S (1)
- PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 (5)
- USB 3.2 Gen 2x2 (6)
- Sata (7)
- PCIe 3.0 x4 NVMe (1)
- PCIe 4.0 NVMe (1)
- USB 3.2 Gen 2 - Tipo C (8)
- PCIe Gen3 x4 (4)
- PCIe 4.0 x4 NVMe (7)
- PCIe Gen4 x4 (8)
- PCIe Gen4 x4, NVME 1.3 (1)
- PCIe Gen3 (1)
- PCIe Gen4 x4, NVME 1.4 (2)
- PCIe Gen4 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (5)
- Color del Producto
PN:KVR32N22D8/32
DDR4 32 GB 3200 Mhz. KINGSTON
32GB/ 3200MHz/ CL22
- ●Nº Modulos Memoria: 1 x 32GB
- ●Tecnologia De Memoria: DDR4
- ●Tipo Memoria: DDR4
32GB 2Rx8 4G x 64-Bit PC4-3200 CL22 288-Pin DIMM
Este documento describe el módulo de memoria KVR32N22D8/32 de ValueRAM, un módulo de memoria SDRAM (DRAM síncrona) DDR4-3200 CL22 de 4 GB x 64 bits (32 GB), 2Rx8, basado en dieciséis componentes FBGA de 2 GB x 8 bits. El SPD está programado según la latencia estándar JEDEC de DDR4-3200 de 22-22-22 a 1,2 V. Cada módulo DIMM de 288 pines utiliza contactos de oro.
Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V (típico)
VDDQ = 1,2 V (típico)
VPP = 2,5 V (típico)
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminación en chip (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscopio y máscara
Autorrefresco de bajo consumo (LPASR)
Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
Generación y calibración de VREFDQ en chip
Doble rango
EEPROM de detección de presencia (SPD) serie I2 integrada
16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
Topología de paso (fly-by)
Bus de comandos de control y direcciones terminado
PCB: Altura 1,23 (31,25 mm)
Cumple con RoHS y está libre de halógenos
Las especificaciones e imágenes están sujetas a cambios sin previo aviso. Todas las marcas y logotipos son propiedad de sus respectivos fabricantes. La foto puede mostrar otros productos que se venden por separado.
